Používané polovodičové materiály
Používané polovodičové materiály materiál teplota tání šířka zakáza- pohyblivost při 20 °C poměrná (°C) ného pásu (cm2/Vs) permitivita při 20 °C (eV) elektronů děr Ge 958 0,67 3 900 l 900 16 Si l 420 1,11 l 500 500 l l SiC 3,3 100 20 10 GaSb 700 0,8 6 000 l 000 14 GaAs l 238 l,4 9 000 450 GaP 2,25 100 20 lnSb 523 0,18 85 000 3 000 16 InAs 972 0,33 33 000 430 InP 1 070 l,25 4 800 150 AlSb 1 060 l,52 460 460 8,4 ZnS 3,7 70 5 ZnSe 2,7 400 10 CdS 2,4 350 ZnTe 2,2 200 CdSe l,7 500 CdTe l,5 1 000