iontová implantace
iontová implantace, umísťování cizích atomů (iontů) do povrchových vrstev zákl. kovu. Implantovaná látka je předem ionizována a ionty urychleny v el. poli na energii až stovek keV v mírně vysokém vakuu (asi 1 mPa). lonty vnikají do povrchových vrstev a jsou pod povrchem rozděleny víceméně statisticky. Proces nevyžaduje velké teploty. I. i. nemění předmět své rozměry. I. i. vhodnými ionty lze dosáhnout zvýšení tvrdosti a adheze, změny elektrochem. a katalytických vlastností, odolnosti proti opotřebení, otěru a korozi. Při i. i. se používá zejm. C, N, B, Cr, Al, Ti, Ni.