tranzistor
tranzistor [angl.], el. tech. zesilovací prvek, jehož činnost je založena na vlastnostech polovodičů. T. společně objevili Američané J. Bardeen, W. H. Brattain a W. Shockley (1949). Jejich t. je v základě tvořen blokem polovodiče, na který jsou přitisknuty dva hroty vytvářející dva přechody PN. Činnost nejrozšířenějšího plošného bipolárního t. se zakládá na vlastnostech přechodu PN mezi dvěma různě dotovanými oblastmi v polovodiči: s vodivostí děrovou a s vodivostí elektronovou. Plošný t. se skládá ze tří vrstev buď typu PNP, nebo NPN. Prostřední vrstva tvoří bázi, k níž přiléhá na jedné straně emitor, na druhé straně kolektor. Nejčastěji se t. užívá k zesilování, kdy vstupní napětí (proud) mezi bází a emitorem se na výstupu mezi kolektorem a emitorem využívá jako napětí zesílené (zesilovač se společným emitorem). Užívá se též zapojení se společnou bází nebo se společným kolektorem. T. mohou být provedeny jako jednotlivé samostatné prvky pro zesilování napětí, jako výkonové zesilovače i jako prvky miniaturních rozměrů v integrovaných obvodech. Existuje také t. s jedním druhem vodivosti (unipolární t.). Jednotlivé druhy t. se liší způsobem výroby, při níž se užívá např. technol. difúzní, slitinová, epitaxní, dále materiálem, kterým může být např. křemík, germanium, arsenid gallitý. Vyrábějí se t. nízkokmitočtové a vysokokmitočtové. Výbornými vlastnostmi se vyznačují unipolární t., např. t. řízený polem s hradlem odděleným přechodem PN (JFET) a tranzistor řízený polem s izolovanou vstupní elektrodou (IGEFET a MOSFET). T. ovládly zesilovací tech. např. ve sděl. tech., v elektronice, automatizaci, výpočetní tech. a postupně vytlačily nízkovýkonové elektronky.
